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Samsung 990 pro 1TB

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Description

Samsung 990 PRO. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7450 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6900 Mo/s, composant pour: PC/Console de jeux

Caractéristiques détaillées

Design

Facteur de forme SSD
M.2

Général

NVMe
Oui
Interface
PCI Express 4.0
Vitesse de lecture
7450 Mo/s
Vitesse d'écriture
6900 Mo/s
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go

Puissance

Consommation (max)
7.8 W
Tension de fonctionnement
3.3 V
Consommation électrique (idle)
0.05 W
Consommation d'énergie (moyenne)
5.4 W

Caractéristiques

NVMe
Oui
Interface
PCI Express 4.0
Support TRIM
Oui
Version NVMe
2.0
composant pour
PC/Console de jeux
Type de mémoire
V-NAND MLC
Cache DDR externe
Oui
Taille du SSD M.2
2280 (22 x 80 mm)
Support S.M.A.R.T.
Oui
Vitesse de lecture
7450 Mo/s
Vitesse d'écriture
6900 Mo/s
Facteur de forme SSD
M.2
Le chiffrement matériel
Oui
Lecture aléatoire (4KB)
1200000 IOPS
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Écriture aléatoire (4KB)
1550000 IOPS
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Quantité de caches DDR externes
1024 Mo
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui

Détails techniques

Interface
PCI Express 4.0
Période de garantie
5 année(s)
Température d'opération
0 - 70 °C
Vibrations en fonctionnement
1500 G
Choc durant le fonctionnement
1500 G

Poids et dimensions

Poids
9 g
Hauteur
22 mm
Largeur
80 mm
Profondeur
2.3 mm
Poids du paquet
83 g
Hauteur du colis
24 mm
Largeur du colis
98 mm
Type d'emballage
Boîte
Profondeur du colis
146 mm

Autres caractéristiques

Période de garantie
5 année(s)

Conditions environnementales

Température d'opération
0 - 70 °C
Vibrations en fonctionnement
1500 G
Choc durant le fonctionnement
1500 G
Température maximale de fonctionnement
70 °C

Informations sur l'emballage

Poids du paquet
83 g
Hauteur du colis
24 mm
Largeur du colis
98 mm
Type d'emballage
Boîte
Profondeur du colis
146 mm

représentation / réalisation

Support TRIM
Oui
composant pour
PC/Console de jeux
Type de mémoire
V-NAND MLC
Support S.M.A.R.T.
Oui
Vitesse de lecture
7450 Mo/s
Vitesse d'écriture
6900 Mo/s
Le chiffrement matériel
Oui
Lecture aléatoire (4KB)
1200000 IOPS
Temps moyen entre pannes
1500000 h
Version NVM Express (NVMe)
2.0
Écriture aléatoire (4KB)
1550000 IOPS
NVM Express (NVMe) supporté
Oui
Algorithme de sécurité soutenu
256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)
1000 Go
Flux de données d'interface PCI Express
x4
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)
Oui

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