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Samsung ssd 990 evo plus 4TB

Name: Samsung ssd 990 evo plus 4TB
Brand: Samsung
Price: 516.99 EUR
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Description

Samsung MZ-V9S4T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 4 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7250 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s, composant pour: PC

Caractéristiques détaillées

Design

Facteur de forme SSD

M.2

Général

NVMe

Oui

Interface

PCI Express 4.0

Vitesse de lecture

7250 Mo/s

Vitesse d'écriture

6300 Mo/s

Capacité du Solid State Drive (SSD)

4000 Go

Puissance

Tension de fonctionnement

3.3 V

Consommation électrique (idle)

0.06 W

Consommation électrique (Lecture)

5.5 W

Consommation électrique (Ecriture)

4.8 W

Consommation électrique DevSlp (mode veille)

5 mW

Caractéristiques

NVMe

Oui

Interface

PCI Express 4.0

Support TRIM

Oui

Version NVMe

2.0

composant pour

Type de mémoire

V-NAND TLC

Taille du SSD M.2

2280 (22 x 80 mm)

Support S.M.A.R.T.

Oui

Vitesse de lecture

7250 Mo/s

Vitesse d'écriture

6300 Mo/s

Facteur de forme SSD

M.2

Le chiffrement matériel

Oui

Lecture aléatoire (4KB)

1050000 IOPS

Temps moyen entre pannes

1500000 h

Écriture aléatoire (4KB)

1400000 IOPS

Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES

Capacité du Solid State Drive (SSD)

4000 Go

Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)

Oui

Détails techniques

Interface

PCI Express 4.0

Température d'opération

0 - 70 °C

Choc durant le fonctionnement

1500 G

Poids et dimensions

Poids

9 g

Hauteur

80.15 mm

Largeur

80.15 mm

Profondeur

2.38 mm

Poids du paquet

70 g

Hauteur du colis

22 mm

Largeur du colis

148 mm

Profondeur du colis

100 mm

Conditions environnementales

Température d'opération

0 - 70 °C

Choc durant le fonctionnement

1500 G

Informations sur l'emballage

Poids du paquet

70 g

Hauteur du colis

22 mm

Largeur du colis

148 mm

Profondeur du colis

100 mm

représentation / réalisation

Support TRIM

Oui

composant pour

Type de mémoire

V-NAND TLC

Support S.M.A.R.T.

Oui

Vitesse de lecture

7250 Mo/s

Vitesse d'écriture

6300 Mo/s

Le chiffrement matériel

Oui

Lecture aléatoire (4KB)

1050000 IOPS

Temps moyen entre pannes

1500000 h

Écriture aléatoire (4KB)

1400000 IOPS

Algorithme de sécurité soutenu

256-bit AES

Capacité du Solid State Drive (SSD)

4000 Go

Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)

Oui

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